三星计划在2025年开始大规模生产基于GAA的2nm芯片

据BusinessKorea报道，三星电子正计划在未来三年内通过建立3纳米GAA工艺赶上世界上最大的代工公司TSMC。

根据消息显示，GAA是下一代工艺技术，它改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触晶体管的所有四个侧面，而不是现在FinFET工艺的三个侧面GAA结构可以比FinFET工艺更精确地控制电流

根据TrendForce的数据，2021年第四季度，TSMC占全球OEM市场的52.1%，远远超过三星电子的18.3%。

三星电子正押注于将GAA技术应用于3 nm工艺，以赶上TSMC据报道，这家韩国半导体巨头在6月初使用3 nm GAA技术的晶圆进行试产，成为全球首家使用GAA技术的公司三星希望通过技术飞跃迅速缩小与TSMC的差距3纳米工艺使半导体性能和电池效率分别提高了15%和30%，芯片面积比5纳米工艺减小了35%

继今年上半年将GAA技术应用于其3nm工艺后，三星计划在2023年将其引入第二代3nm芯片，并在2025年量产基于GAA的2nm芯片TSMC的战略是利用稳定的FinFET技术在今年下半年进入3 nm半导体市场，而三星电子则押注于GAA技术

专家表示，如果三星在基于GAA的3 nm工艺中保证稳定的产量，它可以成为OEM市场的游戏改变者TSMC预计将从2纳米芯片引入GAA工艺，并在2026年左右发布首款产品对于三星电子来说，未来三年将是关键时期

最近几天，三星宣布未来5年将向半导体等重点产业投资总计450万亿韩元但是三星在3 nm工艺上遇到了阻碍与三星一样，TSMC在提高3纳米工艺的产量方面也有困难

本站了解到，TSMC原计划从7月份开始为英特尔和苹果批量生产3 nm技术的半导体，但在确保理想产量方面遇到了困难DigiTimes报道称，TSMC在确保3 nm工艺的理想产量方面遇到了困难，因此多次修改其技术路线图

三星电子也面临着类似的情况用于3 nm工艺试产的晶圆已经投入使用，但由于产量较低，公司一直推迟宣布正式量产现代汽车证券研究主管Roh Keun—chang表示，除非三星电子为其7纳米或更先进的技术确保足够的客户，否则可能会加剧投资者对三星电子未来业绩的焦虑